晶盛机电、北方华创、优晶科技、意法半导体及至2025年3月26日天岳先进展示12吋衬底，SiC衬底几乎全部采用PVT技术生长。

        2024年1月，中科院陈小龙团队利用高温液相法，在国际上首次生长出了直径4英寸、厚度10mm、单一晶型的3C-SiC单晶。2024年4月23日，日本中央玻璃股份有限公司宣布将采用液相法研究和开发8英寸SiC晶片。2024年4月26日，浙大杭州科创中心-乾晶半导体联合实验室采用“提拉式PVT法”，成功生长出直径为6英寸、厚度达100 mm的超厚碳化硅单晶。

2023年2月28日，团队提出PVR技术，创新体现在：1、增材制造SiC或GaN晶体尺寸不受限制，只与真空室尺寸有关，最大可达32英寸以上；2、可在晶体上直接同质外延生长SiC或GaN，也可在晶格和晶面匹配度较高的籽晶上异质增强沉积SiC或GaN晶体和外延，实现一步制造SiC或GaN衬底晶体和外延，成本降低至目前的1/2~1/5；3、通过控制工艺参数，还可制备目前生长第三代半导体所急需的400mm SiC和TaC涂层盘，制备满足战略需求的超高温陶瓷基复合材料，以及研发和生产第四代半导体材料，在潜在万亿市场规模上没有任何竞争对手。

        本技术已实现100原子尺寸精确控制，即将带来室温超导和超级电容器的突破，钙钛矿太阳能电池、钍基熔盐堆和聚变堆等“无限能源”的突破。